言語
莊紹勳
概観
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タイトル
小型金氧半電晶體的三維模擬與模式=quasi-3d simulation and modeling of small geometry mosfets
…で:
國立交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
N型nos元件中因熱電子引起的氧化層介面傷害的元件與電路退化模擬之新方法=a new approach to simulating the device and circ...
…で:
交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-dimensional simulation of the hot carrier effect in submicron..
…で:
交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
交流工作下mos元件熱電子效應的暫態模擬與模式=transient simulation and modeling of hot electron effect in mosfet under...
…で:
國立交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
次損米針角植入式mos元件漏電流及熱載子效應之探討=investigation of the gate-induced drain leakage current and hot ...
…で:
交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
不如閘汲極重疊結構ldd mos元件熱載子效應之探討=investigation of the hot carrier effect in ldd mos devices with ...
…で:
交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effcet induced reliability study of eppom devices
…で:
交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
次損米mos元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式=nonisothermal gate current model including hot electron...
…で:
交通大學電子工程研究所; 莊紹勳
(マイクロフィルム)
, [著]
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