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N型nos元件中因熱電子引起的氧化層介面傷害的元件與電路退化模擬之新方法... ~ 交通大學電子工程研究所

 

• N型nos元件中因熱電子引起的氧化層介面傷害的元件與電路退化模擬之新方法=a new approach to simulating the device and circ...

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	莊紹勳
  團體作者:	交通大學電子工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1993
  面頁冊數:	78頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC82-0404-E009-134

• N型nos元件中因熱電子引起的氧化層介面傷害的元件與電路退化模擬之新方法=a new approach to simulating the device and circ...
• 交通大學電子工程研究所
  
  N型nos元件中因熱電子引起的氧化層介面傷害的元件與電路退化模擬之新方法=a new approach to simulating the device and circ... / 交通大學電子工程研究所 ; 莊紹勳 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1993. - 78頁 ; 11x15公分.
  NSC82-0404-E009-134.
  
  莊紹勳

• N型nos元件中因熱電子引起的氧化層介面傷害的元件與電路退化模擬之新方法=a new approach to simulating the device and circ...
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448600000254	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448.6 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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