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次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-... ~ 交通大學電子工程研究所

 

• 次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-dimensional simulation of the hot carrier effect in submicron..

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	莊紹勳
  團體作者:	交通大學電子工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1992
  面頁冊數:	66頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC81-0404-E009-112

• 次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-dimensional simulation of the hot carrier effect in submicron..
• 交通大學電子工程研究所
  
  次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-dimensional simulation of the hot carrier effect in submicron.. / 交通大學電子工程研究所 ; 莊紹勳 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 66頁 ; 11x15公分.
  NSC81-0404-E009-112.
  
  莊紹勳

• 次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-dimensional simulation of the hot carrier effect in submicron..
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804621381000222	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 621.381 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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