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次損米mos元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式=nonis... ~ 交通大學電子工程研究所

 

• 次損米mos元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式=nonisothermal gate current model including hot electron...

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	莊紹勳
  團體作者:	交通大學電子工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1994
  面頁冊數:	77頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC83-0404-E009-014

• 次損米mos元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式=nonisothermal gate current model including hot electron...
• 交通大學電子工程研究所
  
  次損米mos元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式=nonisothermal gate current model including hot electron... / 交通大學電子工程研究所 ; 莊紹勳 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1994. - 77頁 ; 11x15公分.
  NSC83-0404-E009-014.
  
  莊紹勳

• 次損米mos元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式=nonisothermal gate current model including hot electron...
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448600000102	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448.6 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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