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去電漿輔助化學氣態沉積法合成氮化矽薄膜做砷化錠件鈍化的研究=passiv... ~ 交通大學材料所

 

• 去電漿輔助化學氣態沉積法合成氮化矽薄膜做砷化錠件鈍化的研究=passivaiton of gaas fet's using pecvd silicon nitride film

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	張翼
  團體作者:	交通大學材料所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1991
  面頁冊數:	37頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC80-0404-E009-080

• 去電漿輔助化學氣態沉積法合成氮化矽薄膜做砷化錠件鈍化的研究=passivaiton of gaas fet's using pecvd silicon nitride film
• 交通大學材料所
  
  去電漿輔助化學氣態沉積法合成氮化矽薄膜做砷化錠件鈍化的研究=passivaiton of gaas fet's using pecvd silicon nitride film / 交通大學材料所 ; 張翼 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 37頁 ; 11x15公分.
  NSC80-0404-E009-080.
  
  張翼

• 去電漿輔助化學氣態沉積法合成氮化矽薄膜做砷化錠件鈍化的研究=passivaiton of gaas fet's using pecvd silicon nitride film
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804440300000004	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 440.3 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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