許渭州

高摻雜量子井共振穿透二極體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of δ-doped quantum well ingaaa/inp resonatn.. by: 成功大學電機工程學研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [著]

砷化鎵銦/砷化鎵單應力層量子井結構之臨界度物性研究=the study of the critical layer thickness in ingaas/gaas strained.... by: 成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [著]

去低壓mocud成長非淬火燒結型歐姆接觸與負-本-本超晶格結構=the growht of non-alloyed ohmic contact nad n-i-p-i ... by: 成功大學電機工程學研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [著]

具有強烈負微分電阻現象的多功能場效電晶體 by: 國立成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [撰]

去低壓mocvd法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體=study of inq.52 a10.48 as/in0.53ga0.47as/inp hetero... by: 成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [著]

去有機金屬氣相沈積法成長高效率&摻雜之漸變砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體及其理論模擬=the fabrication and simulation... by: 成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [著]

以mocvd法成長高性能之單層及多層 -摻雜in/gaas/gaas量子井hemt結構 by: 成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [撰]

去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s.. by: 成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [著]

高性能磷化銦實究間傳導二極體與電晶體 by: 國立成功大學電機工程學系(所); 許渭州 ([NT 13] Microfilm) , [撰]

高性能in(0.53)a1(0.22)ga(0.25)as/inp異質結構雙極性電晶體之研製=fabrication of high performance ina1gsas/inp heterostruct by: 成功大學電機工程研究所; 許渭州 ([NT 13] Microfilm)