回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	許渭州
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1991
  面頁冊數:	90頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC80-0404-E006-057

• 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..
• 許渭州
  
  去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s.. / 許渭州 著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 90頁 ; 11x15公分.
  NSC80-0404-E006-057.

• 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..
• LDR:00498nhm 2200133 450 001 62883
  009 8508238
  100 $a  20100607d1991 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s.. $f  許渭州 著 $g  成功大學電機工程研究所
  210 $a  台北市 $c  科學技術資料中心 $d  1991
  215 $a  90頁 $d  11x15公分
  300 $a  NSC80-0404-E006-057
  700 $a  許渭州 $4  著 $3  62801
  712 $a  成功大學電機工程研究所 $3  62283
  801 1 $a  TW $b  大葉大學 $c  19960719
  

筆 0 讀者評論

全部 三樓視聽資料區

館藏

• 1 筆 • 頁數 1 •
• 1

條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448000000287	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

• 1 筆 • 頁數 1 •
• 1

評論

• 新增評論 分享你的心得

2008 傳技資訊 最佳瀏覽使用FireFox或IE7.0以上版本 建議您至http://moztw.org/或http://www.microsoft.com/taiwan/windows/ie/downloads/default.mspx下載 v3.1.1.2