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去低壓mocvd法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體=st... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 去低壓mocvd法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體=study of inq.52 a10.48 as/in0.53ga0.47as/inp hetero...

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	許渭州
  團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1993
  面頁冊數:	87頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC82-0404-E006-244

• 去低壓mocvd法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體=study of inq.52 a10.48 as/in0.53ga0.47as/inp hetero...
• 成功大學電機工程研究所
  
  去低壓mocvd法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體=study of inq.52 a10.48 as/in0.53ga0.47as/inp hetero... / 成功大學電機工程研究所 ; 許渭州 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1993. - 87頁 ; 11x15公分.
  NSC82-0404-E006-244.
  
  許渭州

• 去低壓mocvd法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體=study of inq.52 a10.48 as/in0.53ga0.47as/inp hetero...
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804621300000215	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 621.3 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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