張廖貴術

太空電子元件及積體電路抗輻射評估=evaluation of radiation hardness for space electronic devices and integrated circuits by: 張廖貴術; 清華大學核子工程與工程物理研究 ([NT 13] Microfilm)

電漿蝕刻導致金氧半元件電性衰退之分析研究 by: 張廖貴術; 李仁杰 ([NT 13] Microfilm) , [指導]

中子活化分析技術的開發及改進與應用(i)-子計劃八:以naa分析矽半導體材料與元件之元素含量=determination of trace elements in by: 張廖貴術; 清華大學核工程與工程物理研究所 ([NT 13] Microfilm)

金氧半電容抗輻射之改善與雙極接面電晶體輻射效應之研究=improvement of radiation hardness of mos capacitor and study on... by: 張廖貴術; 清華大學核子工程研究所 ([NT 13] Microfilm) , [著]

應用兩階段氮化氧化層以改善金氧半元件電性 by: 張廖貴術; 辜建銘 ([NT 13] Microfilm) , [指導]

應用快中子照射矽晶以改善金氧半元件電特性 by: 張廖貴術; 易乃冠 ([NT 13] Microfilm) , [指導]

金氧半元件長時間可靠性之改善與其物理機製之研究 by: 張廖貴術; 清華大學核子工程與工程物理研究 ([NT 13] Microfilm)

以金氧半電晶體作為輻射劑量計之研究=radiation dose measured by mosfet by: 張廖貴術; 清大核子工程與工程物理研究所 ([NT 13] Microfilm)