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應用兩階段氮化氧化層以改善金氧半元件電性
~
張廖貴術
應用兩階段氮化氧化層以改善金氧半元件電性
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
辜建銘
其他作者:
張廖貴術
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
120頁 : 11x15公分;
標題:
工程與系統科學 -
附註:
MOE86-0002-853129
應用兩階段氮化氧化層以改善金氧半元件電性
辜建銘
應用兩階段氮化氧化層以改善金氧半元件電性
/ 辜建銘 撰 ; 張廖貴術 指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 120頁 ; 11x15公分.
MOE86-0002-853129.
工程與系統科學
張廖貴術
應用兩階段氮化氧化層以改善金氧半元件電性
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20000517
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全部
三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
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條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
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833440000000038
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 440 4018 V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833440000000039
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 440 4018 V2
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2 筆 • 頁數 1 •
1
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