回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	方炎坤
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  面頁冊數:	14頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC84-2215-E006-003

• 利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u
• 方炎坤
  
  利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u / 方炎坤 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 14頁 ; 11x15公分.
  NSC84-2215-E006-003.

• 利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u
• LDR:00487nhm 2200133 450 001 88867
  009 8811756
  100 $a  20100607 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u $f  方炎坤 $g  成功大學電機工程研究所
  210 $a  台北市 $c  科學技術資料中心
  215 $a  14頁 $d  11x15公分
  300 $a  NSC84-2215-E006-003
  700 $a  方炎坤 $3  60980
  712 $a  成功大學電機工程研究所 $3  62283
  801 1 $a  TW $b  大葉大學 $c  19991123
  

筆 0 讀者評論

全部 三樓視聽資料區

館藏

• 1 筆 • 頁數 1 •
• 1

條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804621300000600	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 621.3 0094	1.一般(Normal)	在架	0

• 1 筆 • 頁數 1 •
• 1

評論

• 新增評論 分享你的心得

2008 傳技資訊 最佳瀏覽使用FireFox或IE7.0以上版本 建議您至http://moztw.org/或http://www.microsoft.com/taiwan/windows/ie/downloads/default.mspx下載 v3.1.1.2