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以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層=thin gate oxide gr...

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台灣大學電機工程學研究所

以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層=thin gate oxide growth and anneal by rapid thermal process

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	胡振國
其他團體作者:	台灣大學電機工程學研究所
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
面頁冊數:	136頁 : 11x15公分;
附註:	NSC84-2215-E002-006

以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層=thin gate oxide growth and anneal by rapid thermal process
胡振國

以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層=thin gate oxide growth and anneal by rapid thermal process / 胡振國 ; 台灣大學電機工程學研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 136頁 ; 11x15公分.
NSC84-2215-E002-006.

以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層=thin gate oxide growth and anneal by rapid thermal process
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804621300000589

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.3 4756 V1

1.一般(Normal)

在架

0

804621300000590

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.3 4756 V2

1.一般(Normal)

在架

0

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