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砷離子佈植砷畫家的特性研究=characterization of a...

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交通大學光電工程研究所

砷離子佈植砷畫家的特性研究=characterization of arsenic ion implanted gaas

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	張振雄
其他團體作者:	交通大學光電工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
面頁冊數:	55頁 : 11x15公分;
附註:	NSC852215E009064

砷離子佈植砷畫家的特性研究=characterization of arsenic ion implanted gaas
張振雄

砷離子佈植砷畫家的特性研究=characterization of arsenic ion implanted gaas / 張振雄 ; 交通大學光電工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 55頁 ; 11x15公分.
NSC852215E009064.

砷離子佈植砷畫家的特性研究=characterization of arsenic ion implanted gaas
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804337960000001

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 337.96 1123

1.一般(Normal)

在架

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