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金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測=mechan... ~ 交通大學電子工程學系

 

• 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測=mechanisms and characterization of interface trap induced dra

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	汪大暉
  其他團體作者:	交通大學電子工程學系
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  面頁冊數:	40頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC852215E009050

• 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測=mechanisms and characterization of interface trap induced dra
• 汪大暉
  
  金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測=mechanisms and characterization of interface trap induced dra / 汪大暉 ; 交通大學電子工程學系 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 40頁 ; 11x15公分.
  NSC852215E009050.

• 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測=mechanisms and characterization of interface trap induced dra
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804337400000001	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 337.4 3111	1.一般(Normal)	在架	0

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