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高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epi...

中原大學電子工程學系

高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epitaxial lateral overgrowth of high-quality gaas on si and the s

高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epitaxial lateral overgrowth of high-quality gaas on si and the s
溫武義

高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epitaxial lateral overgrowth of high-quality gaas on si and the s / 溫武義 ; 中原大學電子工程學系 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 101頁 ; 11x15公分.
NSC852215E033004.

高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epitaxial lateral overgrowth of high-quality gaas on si and the s
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