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半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺...

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成功大學材料科學及工程學系

半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林文台
其他團體作者:	成功大學材料科學及工程學系
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
面頁冊數:	64頁 :
標題:	工程材料 -
附註:	NSC84-2215-E006-009

半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic
林文台

半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic / 林文台 ; 成功大學材料科學及工程學系 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 64頁.
NSC84-2215-E006-009.
工程材料

半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804440300000521

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 440.3 4402

1.一般(Normal)

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