大葉大學圖書館 |

登入

回首頁

eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effce...

交通大學電子工程研究所

eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effcet induced reliability study of eppom devices

eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effcet induced reliability study of eppom devices
莊紹勳

eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effcet induced reliability study of eppom devices / 莊紹勳 ; 交通大學電子工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 58頁 ; 11x15公分.
NSC84-2215-E009-010.
電子工程

eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effcet induced reliability study of eppom devices
LDR:00442nhm 2200133 450 001 87383
009 8809585
100 $a 20100607 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a eprom 記憶元件中電子效應的可靠性研究=electron effcet induced reliability study of eppom devices $f 莊紹勳 $g 交通大學電子工程研究所
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心
215 $a 58頁 $d 11x15公分
300 $a NSC84-2215-E009-010
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 莊紹勳 $3 40460
712 $a 交通大學電子工程研究所 $3 61980
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19991011