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0.98微米砷化鎵銦/ 砷化鎵/磷化鎵銦/應力層量子井雷射二極體之研製=...

中央大學光電科學研究所

0.98微米砷化鎵銦/ 砷化鎵/磷化鎵銦/應力層量子井雷射二極體之研製=epitaxial growth and farication of 0.98 um ingaas/gasa/in

0.98微米砷化鎵銦/ 砷化鎵/磷化鎵銦/應力層量子井雷射二極體之研製=epitaxial growth and farication of 0.98 um ingaas/gasa/in
李清庭

0.98微米砷化鎵銦/ 砷化鎵/磷化鎵銦/應力層量子井雷射二極體之研製=epitaxial growth and farication of 0.98 um ingaas/gasa/in / 李清庭撰 ; 中央大學光電科學研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 55頁 ; 11x15公分.
NSC84-2215-E008-027.
光電學

0.98微米砷化鎵銦/ 砷化鎵/磷化鎵銦/應力層量子井雷射二極體之研製=epitaxial growth and farication of 0.98 um ingaas/gasa/in
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