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利用直接光激化學沉積法製作矽鍺p型金屬半二極體=sige pmosfet...

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吳添壽

利用直接光激化學沉積法製作矽鍺p型金屬半二極體=sige pmosfet cevices by direct photo-cvd

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	吳添壽
其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
面頁冊數:	70頁 : 11x15公分;

利用直接光激化學沉積法製作矽鍺p型金屬半二極體=sige pmosfet cevices by direct photo-cvd
吳添壽

利用直接光激化學沉積法製作矽鍺p型金屬半二極體=sige pmosfet cevices by direct photo-cvd / 吳添壽 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 70頁 ; 11x15公分.

利用直接光激化學沉積法製作矽鍺p型金屬半二極體=sige pmosfet cevices by direct photo-cvd
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804448614000003

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.614 2643

1.一般(Normal)

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