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去鍺矽合金薄膜電晶體之研究=ge-si alloy for thin f...

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長庚大學電機工程學系

去鍺矽合金薄膜電晶體之研究=ge-si alloy for thin film transistors

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
其他作者:	高慧玲
團體作者:	長庚大學電機工程學系
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
出版年:	1997
面頁冊數:	77頁 : 11x15公分;
附註:	NSC83-0404-E182-004

去鍺矽合金薄膜電晶體之研究=ge-si alloy for thin film transistors
長庚大學電機工程學系

去鍺矽合金薄膜電晶體之研究=ge-si alloy for thin film transistors / 長庚大學電機工程學系 ; 高慧玲 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1997. - 77頁 ; 11x15公分.
NSC83-0404-E182-004.

高慧玲

去鍺矽合金薄膜電晶體之研究=ge-si alloy for thin film transistors
LDR:00420nhm 2200133 450 001 86034
009 8802480
100 $a 20100607d1997 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 去鍺矽合金薄膜電晶體之研究=ge-si alloy for thin film transistors $f 長庚大學電機工程學系 $g 高慧玲
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1997
215 $a 77頁 $d 11x15公分
300 $a NSC83-0404-E182-004
702 $a 高慧玲 $3 78577
710 $a 長庚大學電機工程學系 $3 72523
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19990915

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804448610000001

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.61 0022

1.一般(Normal)

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