大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

活性離子蝕刻的損傷及污染問題之研究=study on reactive ...

~

交通大學電子工程研究所

活性離子蝕刻的損傷及污染問題之研究=study on reactive ion etching damage and contamination

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
其他作者:	陳茂傑
團體作者:	交通大學電子工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
出版年:	1992
面頁冊數:	30頁 : 11x15公分;
附註:	NSC81-0404-E009-128

活性離子蝕刻的損傷及污染問題之研究=study on reactive ion etching damage and contamination
交通大學電子工程研究所

活性離子蝕刻的損傷及污染問題之研究=study on reactive ion etching damage and contamination / 交通大學電子工程研究所 ; 陳茂傑著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 30頁 ; 11x15公分.
NSC81-0404-E009-128.

陳茂傑

活性離子蝕刻的損傷及污染問題之研究=study on reactive ion etching damage and contamination
LDR:00456nhm 2200133 450 001 69337
009 8514710
100 $a 20100607d1992 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 活性離子蝕刻的損傷及污染問題之研究=study on reactive ion etching damage and contamination $f 交通大學電子工程研究所 $g 陳茂傑著
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1992
215 $a 30頁 $d 11x15公分
300 $a NSC81-0404-E009-128
702 $a 陳茂傑 $4 著 $3 60534
710 $a 交通大學電子工程研究所 $3 61980
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960913

筆 0 讀者評論

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804621381000232

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.381 XXXX

1.一般(Normal)

在架

0

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入