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以活性離子侵法做gaas閘侵及孔洞侵製程之研究=development ... ~ 交通大學材料科學工程研究所

 

• 以活性離子侵法做gaas閘侵及孔洞侵製程之研究=development of gaas gate recess and via hole etch process using reactive ...

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	張翼
  團體作者:	交通大學材料科學工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1993
  面頁冊數:	48頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC82-0404-E009-258

• 以活性離子侵法做gaas閘侵及孔洞侵製程之研究=development of gaas gate recess and via hole etch process using reactive ...
• 交通大學材料科學工程研究所
  
  以活性離子侵法做gaas閘侵及孔洞侵製程之研究=development of gaas gate recess and via hole etch process using reactive ... / 交通大學材料科學工程研究所 ; 張翼 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1993. - 48頁 ; 11x15公分.
  NSC82-0404-E009-258.
  
  張翼

• 以活性離子侵法做gaas閘侵及孔洞侵製程之研究=development of gaas gate recess and via hole etch process using reactive ...
• LDR:00491nhm 2200133 450 001 67946
  009 8513315
  100 $a  20100607d1993 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  以活性離子侵法做gaas閘侵及孔洞侵製程之研究=development of gaas gate recess and via hole etch process using reactive ... $f  交通大學材料科學工程研究所 $g  張翼 著
  210 $a  台北市 $c  科學技術資料中心 $d  1993
  215 $a  48頁 $d  11x15公分
  300 $a  NSC82-0404-E009-258
  702 $a  張翼 $4  著 $3  49020
  710 $a  交通大學材料科學工程研究所 $3  62806
  801 1 $a  TW $b  大葉大學 $c  19960903
  

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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804440300000377	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 440.3 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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