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去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos ...

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台灣大學電機工程學系

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics

纪录类型:	[NT 13] Microfilm : 单行本
其他作者:	胡振國
团体作者:	台灣大學電機工程學系
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
出版年:	1994
面页册数:	115頁 : 11x15公分;
附注:	NSC83-0404-E002-018

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics
台灣大學電機工程學系

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics / 台灣大學電機工程學系 ; 胡振國著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1994. - 115頁 ; 11x15公分.
NSC83-0404-E002-018.

胡振國

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics
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210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1994
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801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960829

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馆藏

2 笔 • 页数 1 •
1

典藏地名称

馆藏流通类别

804621300000130

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.3 XXXX V1

1.一般(Normal)

在架

0

804621300000131

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.3 XXXX V2

1.一般(Normal)

在架

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