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砷化錠在矽單晶上之磊晶成長=epitazial growth of ga...

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清華大學材料學工程中心

砷化錠在矽單晶上之磊晶成長=epitazial growth of gaas on si

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
其他作者:	游萃蓉
團體作者:	清華大學材料學工程中心
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
出版年:	1992
面頁冊數:	41頁 : 11x15公分;
附註:	NSC81-0404-E007-112

砷化錠在矽單晶上之磊晶成長=epitazial growth of gaas on si
清華大學材料學工程中心

砷化錠在矽單晶上之磊晶成長=epitazial growth of gaas on si / 清華大學材料學工程中心 ; 游萃蓉著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 41頁 ; 11x15公分.
NSC81-0404-E007-112.

游萃蓉

砷化錠在矽單晶上之磊晶成長=epitazial growth of gaas on si
LDR:00420nhm 2200133 450 001 66210
009 8511574
100 $a 20100607d1992 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 砷化錠在矽單晶上之磊晶成長=epitazial growth of gaas on si $f 清華大學材料學工程中心 $g 游萃蓉著
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1992
215 $a 41頁 $d 11x15公分
300 $a NSC81-0404-E007-112
702 $a 游萃蓉 $4 著 $3 62812
710 $a 清華大學材料學工程中心 $3 64370
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960814

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館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804440300000286

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 440.3 XXXX

1.一般(Normal)

在架

0

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