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去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=th...
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成功大學電機工程學研究所

 

  • 去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=the fabrication of ingasb ndr and ingasb q w devices by mocvd
  • 紀錄類型: 微縮資料 : 單行本
    其他作者: 蘇炎坤
    團體作者: 成功大學電機工程學研究所
    出版地: 台北市
    出版者: 科學技術資料中心;
    出版年: 1992
    面頁冊數: 116頁 : 11x15公分;
    附註: NSC81-0404-E006-101
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
804621300000018 三樓視聽資料區 3.不外借 微縮資料(microform) MF 621.3 XXXX V1 1.一般(Normal) 在架 0
804621300000019 三樓視聽資料區 3.不外借 微縮資料(microform) MF 621.3 XXXX V2 1.一般(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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