語系:
繁體中文
English
日文
簡体中文
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
矽單晶浮域製程之流場壓力研究=flow-induced pressure...
~
李雄略
矽單晶浮域製程之流場壓力研究=flow-induced pressure in floating zone process of silicon single crystal growth
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
李雄略
其他團體作者:
清華大學動力機械工程研究所
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1992
面頁冊數:
86頁 : 11x15公分;
附註:
NSC81-0401-E007-002
矽單晶浮域製程之流場壓力研究=flow-induced pressure in floating zone process of silicon single crystal growth
李雄略
矽單晶浮域製程之流場壓力研究=flow-induced pressure in floating zone process of silicon single crystal growth
/ 李雄略 著 ; 清華大學動力機械工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 86頁 ; 11x15公分.
NSC81-0401-E007-002.
矽單晶浮域製程之流場壓力研究=flow-induced pressure in floating zone process of silicon single crystal growth
LDR
:00478nhm 2200133 450
001
65971
009
8511334
100
$a
20100607d1992 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
矽單晶浮域製程之流場壓力研究=flow-induced pressure in floating zone process of silicon single crystal growth
$f
李雄略 著
$g
清華大學動力機械工程研究所
210
$a
台北市
$c
科學技術資料中心
$d
1992
215
$a
86頁
$d
11x15公分
300
$a
NSC81-0401-E007-002
700
$a
李雄略
$4
著
$3
62256
712
$a
清華大學動力機械工程研究所
$3
61946
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
19960813
筆 0 讀者評論
全部
三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804446000000684
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 446 XXXX
1.一般(Normal)
在架
0
1 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入