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削晶質累崩光電晶體游離率基本機制之探討及薄膜電晶體特性的改進與研究=a ...

中央大學電機工程學系

削晶質累崩光電晶體游離率基本機制之探討及薄膜電晶體特性的改進與研究=a study on basic mechanism of tne electron and hole..

削晶質累崩光電晶體游離率基本機制之探討及薄膜電晶體特性的改進與研究=a study on basic mechanism of tne electron and hole..
中央大學電機工程學系

削晶質累崩光電晶體游離率基本機制之探討及薄膜電晶體特性的改進與研究=a study on basic mechanism of tne electron and hole.. / 中央大學電機工程學系 ; 洪志旺著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 131頁 ; 11x15公分.
NSC80-0417-E008-005.

洪志旺

削晶質累崩光電晶體游離率基本機制之探討及薄膜電晶體特性的改進與研究=a study on basic mechanism of tne electron and hole..
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