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以lpe及mocvd法研製磷化銦雙異質接面電晶體元件=the fabri...
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成功大學電機工程研究所
以lpe及mocvd法研製磷化銦雙異質接面電晶體元件=the fabrication of inp dhbt by lpe and cocvd
纪录类型:
[NT 13] Microfilm : 单行本
其他作者:
蘇炎坤
团体作者:
成功大學電機工程研究所
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1991
面页册数:
118頁 : 11x15公分;
附注:
NSC80-0404-E006-036
以lpe及mocvd法研製磷化銦雙異質接面電晶體元件=the fabrication of inp dhbt by lpe and cocvd
成功大學電機工程研究所
以lpe及mocvd法研製磷化銦雙異質接面電晶體元件=the fabrication of inp dhbt by lpe and cocvd
/ 成功大學電機工程研究所 ; 蘇炎坤 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 118頁 ; 11x15公分.
NSC80-0404-E006-036.
蘇炎坤
以lpe及mocvd法研製磷化銦雙異質接面電晶體元件=the fabrication of inp dhbt by lpe and cocvd
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19960806
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三樓視聽資料區
馆藏
2 笔 • 页数 1 •
1
条形码号
典藏地名称
馆藏流通类别
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预约状态
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804448000000409
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 448 XXXX V1
1.一般(Normal)
在架
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804448000000410
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 448 XXXX V2
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