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快速加熱回火對金-氧一半電晶體電性衰變及可靠性影響之研究與改(ii)=i... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 快速加熱回火對金-氧一半電晶體電性衰變及可靠性影響之研究與改(ii)=improvement of the effect for rta on mosfet device...

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	方寶村
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1994
  面頁冊數:	29頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC83-0404-E006-015

• 快速加熱回火對金-氧一半電晶體電性衰變及可靠性影響之研究與改(ii)=improvement of the effect for rta on mosfet device...
• 方寶村
  
  快速加熱回火對金-氧一半電晶體電性衰變及可靠性影響之研究與改(ii)=improvement of the effect for rta on mosfet device... / 方寶村 著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1994. - 29頁 ; 11x15公分.
  NSC83-0404-E006-015.

• 快速加熱回火對金-氧一半電晶體電性衰變及可靠性影響之研究與改(ii)=improvement of the effect for rta on mosfet device...
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448000000260	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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