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砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabricati... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	方寶村
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1992
  面頁冊數:	75頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC81-0404-E006-436

• 砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud
• 方寶村
  
  砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud / 方寶村 著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 75頁 ; 11x15公分.
  NSC81-0404-E006-436.

• 砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448000000221	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料(microform)	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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