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利用MoS2摻雜活性碳製備薄膜電極提升超級電容特性

~

林志宥

利用MoS2摻雜活性碳製備薄膜電極提升超級電容特性

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
作者:	謝承恩,
合作者:	林志宥,
合作者:	江曉鈞,
出版地:	彰化縣大村鄉
出版者:	大葉大學電機工程學系;
出版年:	2022
版本:	初版
面頁冊數:	28葉 : 圖, 表 ; 30公分;
書目、索引、附錄等註:	參考書目 : 葉26
ISBN:	平裝贈送
中國圖書分類法:	448

利用MoS2摻雜活性碳製備薄膜電極提升超級電容特性
謝, 承恩

利用MoS2摻雜活性碳製備薄膜電極提升超級電容特性 / 謝承恩,林志宥,江曉鈞撰 - 初版. - 彰化縣大村鄉 : 大葉大學電機工程學系, 2022. - 28葉 ; 圖, 表 ; 30公分.
參考書目 : 葉26.

林, 志宥

利用MoS2摻雜活性碳製備薄膜電極提升超級電容特性
LDR:00512nam 2200169 450 001 517871
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200 1 $a 利用MoS2摻雜活性碳製備薄膜電極提升超級電容特性 $f 謝承恩,林志宥,江曉鈞撰
205 $a 初版
210 $a 彰化縣大村鄉 $c 大葉大學電機工程學系 $d 2022
215 0 $a 28葉 $c 圖, 表 $d 30公分
314 $a 指導教授：黃俊杰
320 $a 參考書目 : 葉26
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

80093282

二樓學生專題報告區

1.圖書流通

學生專題報告(student report)

GR 448 0416

1.一般(Normal)

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