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以基版轉移技術進行氮化銦鎵共振腔發光二極體之研製與特性研究 = Fabr...

黃詩詠

以基版轉移技術進行氮化銦鎵共振腔發光二極體之研製與特性研究 = Fabrication and characterization of NnGaN resonant-cavity light emitting diodes prepared by wafer transfer technologies

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Fabrication and characterization of NnGaN resonant-cavity light emitting diodes prepared by wafer transfer technologies
作者:	黃詩詠,
出版地:	台中縣
出版者:	國立中興大學;
出版年:	2009
版本:	初版
面頁冊數:	137葉 : 圖 ; 30公分;
標題:	工程材料 -
書目、索引、附錄等註:	參考書目：葉132-137
學位論文註:	博士論文：國立中興大學材料科學與工程學系
ISBN:	平裝贈送
中國圖書分類法:	440.3

以基版轉移技術進行氮化銦鎵共振腔發光二極體之研製與特性研究 = Fabrication and characterization of NnGaN resonant-cavity light emitting diodes prepared by wafer transfer technologies
黃, 詩詠

以基版轉移技術進行氮化銦鎵共振腔發光二極體之研製與特性研究 = Fabrication and characterization of NnGaN resonant-cavity light emitting diodes prepared by wafer transfer technologies / 黃詩詠撰 - 初版. - 台中縣 : 國立中興大學, 2009. - 137葉 ; 圖 ; 30公分.
參考書目：葉132-137.
工程材料

以基版轉移技術進行氮化銦鎵共振腔發光二極體之研製與特性研究 = Fabrication and characterization of NnGaN resonant-cavity light emitting diodes prepared by wafer transfer technologies
LDR:00743nam1 2200193 450 001 354891
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215 0 $a 137葉 $d 30公分 $c 圖
314 $a 指導教授：洪瑞華, 武東星
320 $a 參考書目：葉132-137
328 $a 博士論文：國立中興大學材料科學與工程學系
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