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利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
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清華大學化學所
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
高淑琪
其他團體作者:
清華大學化學所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
141頁 : 11x15公分;
標題:
化學 -
附註:
MOE88-0002-873478
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
高淑琪
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
/ 高淑琪 撰 ; 清華大學化學所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 141頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-873478.
化學
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
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20030124
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三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
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MF 340 0031 V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
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833340000000847
三樓視聽資料區
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微縮資料(microform)
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