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利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性

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吳伯峰

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	吳伯峰
其他團體作者:	清華大學工程與系統科學所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	115頁 : 11x15公分;
標題:	工程與系統科學 -
附註:	MOE88-0002-873149

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性
吳伯峰

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性 / 吳伯峰撰 ; 清華大學工程與系統科學所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 115頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-873149.
工程與系統科學

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性
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210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 115頁 $d 11x15公分
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
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典藏地名稱

館藏流通類別

833440000001200

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 440 2622-A V1

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833440000001201

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3.不外借

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MF 440 2622-A V2

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