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應用n2o多次性氮化氧化層對mos元件可靠度之改善
~
林彥伯
應用n2o多次性氮化氧化層對mos元件可靠度之改善
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
林彥伯
其他團體作者:
清華大學工程與系統科學所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
94頁 : 11x15公分;
標題:
工程與系統科學 -
附註:
MOE88-0002-873139
應用n2o多次性氮化氧化層對mos元件可靠度之改善
林彥伯
應用n2o多次性氮化氧化層對mos元件可靠度之改善
/ 林彥伯 撰 ; 清華大學工程與系統科學所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 94頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-873139.
工程與系統科學
應用n2o多次性氮化氧化層對mos元件可靠度之改善
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20030123
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三樓視聽資料區
館藏
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典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
833440000001197
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 440 4402-F
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
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