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利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-...
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張志祥
利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
張志祥
其他團體作者:
清華大學材料科學工程所
出版地:
台北市
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
346頁 : 11x15公分;
標題:
工程材料 -
附註:
MOE88-0002-843546-D
利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
張志祥
利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
/ 張志祥 撰 ; 清華大學材料科學工程所 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 346頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-843546-D.
工程材料
利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
LDR
:00465nhm 2200133 450
001
306006
009
9128631
100
$a
20100608d1999 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
$f
張志祥 撰
$g
清華大學材料科學工程所
210
$a
台北市
$c
行政院國家科學委員會科學技術資料中心
$d
1999
215
$a
346頁
$d
11x15公分
300
$a
MOE88-0002-843546-D
606
$a
工程材料
$3
14660
700
$a
張志祥
$4
撰
$3
329430
712
$a
清華大學材料科學工程所
$3
317506
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20030116
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1.一般(Normal)
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0
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3.不外借
微縮資料(microform)
MF 440.3 1143-A V2
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833440300000758
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 440.3 1143-A V3
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833440300000759
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 440.3 1143-A V4
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
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