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以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面...

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國立台灣海洋大學電機工程學系

以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	羅文雄
其他團體作者:	國立台灣海洋大學電機工程學系
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	47頁 : 11x15公分;
附註:	NSC86-2215-E019-001

以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體
羅文雄

以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體 / 羅文雄撰 ; 國立台灣海洋大學電機工程學系 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 47頁 ; 11x15公分.
NSC86-2215-E019-001.

以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804621300000902

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.3 6064

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