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以氫化物磊晶法成長氮化鎵基板

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國立交通大學電子工程研究所

以氫化物磊晶法成長氮化鎵基板

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	施敏
其他團體作者:	國立交通大學電子工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	38頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	NSC86-2215-E009-048

以氫化物磊晶法成長氮化鎵基板
施敏

以氫化物磊晶法成長氮化鎵基板 / 施敏撰 ; 國立交通大學電子工程研究所 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 38頁 ; 11x15公分.
NSC86-2215-E009-048.
電子工程

以氫化物磊晶法成長氮化鎵基板
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215 $a 38頁 $d 11x15公分
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801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20020326

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804448600000682

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 0888

1.一般(Normal)

在架

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