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電漿氫化處理之氧化層充電效應對薄膜電晶體之特性及可靠度之影響

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國立成功大學電機工程研究所

電漿氫化處理之氧化層充電效應對薄膜電晶體之特性及可靠度之影響

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	方炎坤
其他團體作者:	國立成功大學電機工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	86頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	NSC86-2215-E006-006

電漿氫化處理之氧化層充電效應對薄膜電晶體之特性及可靠度之影響
方炎坤

電漿氫化處理之氧化層充電效應對薄膜電晶體之特性及可靠度之影響 / 方炎坤撰 ; 國立成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 86頁 ; 11x15公分.
NSC86-2215-E006-006.
電機工程

電漿氫化處理之氧化層充電效應對薄膜電晶體之特性及可靠度之影響
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215 $a 86頁 $d 11x15公分
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804448000001559

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448 0094

1.一般(Normal)

在架

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