大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長

~

國立台灣科技大學化學工程系

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	洪儒生
其他團體作者:	國立台灣科技大學化學工程系
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	85頁 : 11x15公分;
標題:	化學工程 -
附註:	NSC86-2214-E011-011

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長
洪儒生

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長 / 洪儒生撰 ; 國立台灣科技大學化學工程系 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 85頁 ; 11x15公分.
NSC86-2214-E011-011.
化學工程

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長
LDR:00396nhm 2200133 450 001 302277
009 9109667
100 $a 20100608 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長 $f 洪儒生撰 $g 國立台灣科技大學化學工程系
210 $a 台北市 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心
215 $a 85頁 $d 11x15公分
300 $a NSC86-2214-E011-011
606 $a 化學工程 $3 4223
700 $a 洪儒生 $4 撰 $3 79305
712 $a 國立台灣科技大學化學工程系 $3 116099
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20020320

筆 0 讀者評論

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804460000001756

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 460 3422-2

1.一般(Normal)

在架

0

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入