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有效率高級mosfet元件模型利用多能帶波茲曼傳輸方程式
~
國立中興大學電機工程學系
有效率高級mosfet元件模型利用多能帶波茲曼傳輸方程式
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
林泓均
其他團體作者:
國立中興大學電機工程學系
出版地:
台北市
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:
25頁 : 11x15公分;
標題:
電機工程 -
附註:
NSC85-2215-E005-004
有效率高級mosfet元件模型利用多能帶波茲曼傳輸方程式
林泓均
有效率高級mosfet元件模型利用多能帶波茲曼傳輸方程式
/ 林泓均 撰 ; 國立中興大學電機工程學系 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 25頁 ; 11x15公分.
NSC85-2215-E005-004.
電機工程
有效率高級mosfet元件模型利用多能帶波茲曼傳輸方程式
LDR
:00411nhm 2200133 450
001
301973
009
9106300
100
$a
20100608 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
有效率高級mosfet元件模型利用多能帶波茲曼傳輸方程式
$f
林泓均 撰
$g
國立中興大學電機工程學系
210
$a
台北市
$c
行政院國家科學委員會科學技術資料中心
215
$a
25頁
$d
11x15公分
300
$a
NSC85-2215-E005-004
606
$a
電機工程
$3
9918
700
$a
林泓均
$4
撰
$3
326593
712
$a
國立中興大學電機工程學系
$3
78760
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20020220
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三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804621300000855
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3.不外借
微縮資料(microform)
MF 621.3 4434
1.一般(Normal)
在架
0
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