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以底壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術

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國立交通大學電子工程學系

以底壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	羅正忠
其他團體作者:	國立交通大學電子工程學系
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	70頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	NSC85-2215-E009-047

以底壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術
羅正忠

以底壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術 / 羅正忠撰 ; 國立交通大學電子工程學系 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 70頁 ; 11x15公分.
NSC85-2215-E009-047.
電子工程

以底壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術
LDR:00429nhm 2200133 450 001 299536
009 9102694
100 $a 20100608 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 以底壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術 $f 羅正忠撰 $g 國立交通大學電子工程學系
210 $a 台北市 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心
215 $a 70頁 $d 11x15公分
300 $a NSC85-2215-E009-047
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 羅正忠 $4 撰 $3 62821
712 $a 國立交通大學電子工程學系 $3 78731
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20020121

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804621381000337

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 621.381 6015-2

1.一般(Normal)

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