大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用

~

大同大學光電工程所

利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	張育彰
其他團體作者:	大同大學光電工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	121頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-1102-68711009

利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
張育彰

利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用 / 張育彰撰 ; 大同大學光電工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 121頁 ; 11x15公分.
MOE88-1102-68711009.
電子工程

利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
LDR:00430nhm 2200133 450 001 296271
009 9213192
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用 $f 張育彰撰 $g 大同大學光電工程所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 121頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-1102-68711009
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 張育彰 $4 撰 $3 92366
712 $a 大同大學光電工程所 $3 323818
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030526

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001367

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 1100-B V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448600001368

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 1100-B V2

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入