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表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬

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臺灣科技大學電子工程所

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	許重傑
其他團體作者:	臺灣科技大學電子工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	117頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0102-D8502013-D

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬
許重傑

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬 / 許重傑撰 ; 臺灣科技大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 117頁 ; 11x15公分.
MOE88-0102-D8502013-D.
電子工程

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001221

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 0822-A V1

1.一般(Normal)

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833448600001222

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MF 448.6 0822-A V2

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