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以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
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中山大學電機工程所
以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
林碩彥
其他團體作者:
中山大學電機工程所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
105頁 : 11x15公分;
標題:
電機工程 -
附註:
MOE88-0009-8731602
以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
林碩彥
以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
/ 林碩彥 撰 ; 中山大學電機工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 105頁 ; 11x15公分.
MOE88-0009-8731602.
電機工程
以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
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20030407
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三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
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833448000002822
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MF 448 4410-C V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
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833448000002823
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 448 4410-C V2
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