大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

在不同基板溫度下以磁控濺鍍法成長氮化鎵薄膜之研究

~

中山大學物理所

在不同基板溫度下以磁控濺鍍法成長氮化鎵薄膜之研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	徐國洲
其他團體作者:	中山大學物理所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	92頁 : 11x15公分;
標題:	物理 -
附註:	MOE88-0009-8623620

在不同基板溫度下以磁控濺鍍法成長氮化鎵薄膜之研究
徐國洲

在不同基板溫度下以磁控濺鍍法成長氮化鎵薄膜之研究 / 徐國洲撰 ; 中山大學物理所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 92頁 ; 11x15公分.
MOE88-0009-8623620.
物理

在不同基板溫度下以磁控濺鍍法成長氮化鎵薄膜之研究
LDR:00398nhm 2200133 450 001 292444
009 9208240
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 在不同基板溫度下以磁控濺鍍法成長氮化鎵薄膜之研究 $f 徐國洲撰 $g 中山大學物理所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 92頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0009-8623620
606 $a 物理 $3 2573
700 $a 徐國洲 $4 撰 $3 320586
712 $a 中山大學物理所 $3 320585
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030331

筆 0 讀者評論

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833330000000632

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 330 2863

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入