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利用氟和/或氮離子佈植於矽化鈷堆疊閘極氧化層之特性研究

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交通大學電子物理所

利用氟和/或氮離子佈植於矽化鈷堆疊閘極氧化層之特性研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	郭立民
其他團體作者:	交通大學電子物理所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	122頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8721535

利用氟和/或氮離子佈植於矽化鈷堆疊閘極氧化層之特性研究
郭立民

利用氟和/或氮離子佈植於矽化鈷堆疊閘極氧化層之特性研究 / 郭立民撰 ; 交通大學電子物理所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 122頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8721535.
電子工程

利用氟和/或氮離子佈植於矽化鈷堆疊閘極氧化層之特性研究
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001146

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 0707 V1

1.一般(Normal)

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833448600001147

三樓視聽資料區

3.不外借

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MF 448.6 0707 V2

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