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退火對雷射濺鍍srtio3同質磊晶薄膜成長機制的影響

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交通大學電子物理所

退火對雷射濺鍍srtio3同質磊晶薄膜成長機制的影響

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	張維娟
其他團體作者:	交通大學電子物理所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	57頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8721505

退火對雷射濺鍍srtio3同質磊晶薄膜成長機制的影響
張維娟

退火對雷射濺鍍srtio3同質磊晶薄膜成長機制的影響 / 張維娟撰 ; 交通大學電子物理所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 57頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8721505.
電子工程

退火對雷射濺鍍srtio3同質磊晶薄膜成長機制的影響
LDR:00398nhm 2200133 450 001 291409
009 9205429
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 退火對雷射濺鍍srtio3同質磊晶薄膜成長機制的影響 $f 張維娟撰 $g 交通大學電子物理所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 57頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0007-8721505
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 張維娟 $4 撰 $3 251985
712 $a 交通大學電子物理所 $3 319158
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030312

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001120

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 1124

1.一般(Normal)

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