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電漿製程對n通道金氧半場效應電晶體之損害效應

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交通大學電子工程所

電漿製程對n通道金氧半場效應電晶體之損害效應

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林世偉
其他團體作者:	交通大學電子工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	103頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8711540

電漿製程對n通道金氧半場效應電晶體之損害效應
林世偉

電漿製程對n通道金氧半場效應電晶體之損害效應 / 林世偉撰 ; 交通大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 103頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8711540.
電子工程

電漿製程對n通道金氧半場效應電晶體之損害效應
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001032

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 4442-E V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

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833448600001033

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3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 4442-E V2

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