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鎳金屬矽化物催化結晶方法對低溫複晶矽薄膜電晶體特性影響之研究
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交通大學電子工程所
鎳金屬矽化物催化結晶方法對低溫複晶矽薄膜電晶體特性影響之研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
盧胤龍
其他團體作者:
交通大學電子工程所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
130頁 : 11x15公分;
標題:
電子工程 -
附註:
MOE88-0007-8711518
鎳金屬矽化物催化結晶方法對低溫複晶矽薄膜電晶體特性影響之研究
盧胤龍
鎳金屬矽化物催化結晶方法對低溫複晶矽薄膜電晶體特性影響之研究
/ 盧胤龍 撰 ; 交通大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 130頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8711518.
電子工程
鎳金屬矽化物催化結晶方法對低溫複晶矽薄膜電晶體特性影響之研究
LDR
:00423nhm 2200133 450
001
290977
009
9204995
100
$a
20100608d1999 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
鎳金屬矽化物催化結晶方法對低溫複晶矽薄膜電晶體特性影響之研究
$f
盧胤龍 撰
$g
交通大學電子工程所
210
$c
行政院國家科學委員會科學技術資料中心
$d
1999
215
$a
130頁
$d
11x15公分
300
$a
MOE88-0007-8711518
606
$a
電子工程
$3
505
700
$a
盧胤龍
$4
撰
$3
319365
712
$a
交通大學電子工程所
$3
319146
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20030306
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0
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0
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